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贞光科技获悉，三星宣布236层3D NAND量产
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贞光科技获悉，三星宣布236层3D NAND量产
车规及工业元器件金牌供应商贞光科技从台湾媒体获悉，三星今天宣布已经开始批量生产其 大概为 236 层的 3D NAND 存储器，该公司将其命名为第 8 代 V-NAND。新 IC 具有 2400 MTps 的传输速度，当与高级控制器结合使用时，它们可以实现传输速度超过 12 GBps 的客户端级 SSD。
新的第 8 代 V-NAND 设备具有 1Tb 容量（128GB），三星称其为业界最高的位密度，但没有透露 IC 的尺寸或实际密度。该 IC 还具有 2400 MTps 的数据传输速率，这对于 配备 PCIe 5.0 x4 接口 的最佳 SSD至关重要， 一旦与适当的控制器配对，将提供惊人的12.4 GBps （或更高！）。
三星声称，与现有相同容量的闪存 IC 相比，其新一代 3D NAND 存储器的每晶圆生产率将提高 20%，这降低了公司的成本（在良率相同的情况下），这可能意味着更便宜的 SSD 。
同时，该公司没有提及该设备的架构，但根据提供的图片，我们假设我们谈论的是双平面 3D NAND IC。
“随着市场对更密集、更大容量的存储需求推动更高的 V-NAND 层数，三星采用其先进的 3D 缩放技术来减少表面积和高度，同时避免通常在按比例缩小时发生的单元间干扰，”三星电子闪存产品和技术执行副总裁 SungHoi Hur 说。“我们的第八代 V-NAND 将有助于满足快速增长的市场需求，并使我们能够更好地提供更多差异化的产品和解决方案，这将是未来存储创新的基础。”
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