新闻中心
贞光科技获悉，借重台积电、力积电 爱普实现真3D堆叠异质整合
摘要：
贞光科技获悉，借重台积电、力积电 爱普实现真3D堆叠异质整合：车规及工业元器件金牌供应商贞光科技从台湾媒体获悉，爱普(6531)今日宣布，已成功实现异质整合高频宽记忆体(VHM)，即DRAM与逻辑晶片的真3D堆叠异质整合。此3D整合晶片提供了相对于高频宽记忆体(HBM)十倍以上的高速频宽；其搭载超过4GB的记忆体容量，更是7奈米制程逻辑晶片内存SRAM之最大容量的五到十倍。
贞光科技获悉，借重台积电、力积电 爱普实现真3D堆叠异质整合
车规及工业元器件金牌供应商贞光科技从台湾媒体获悉，爱普(6531)今日宣布，已成功实现异质整合高频宽记忆体(VHM)，即DRAM与逻辑晶片的真3D堆叠异质整合。此3D整合晶片提供了相对于高频宽记忆体(HBM)十倍以上的高速频宽；其搭载超过4GB的记忆体容量，更是7奈米制程逻辑晶片内存SRAM之最大容量的五到十倍。
爱普所提供的VHM包含客制化DRAM设计及DRAM与逻辑晶片整合介面之VHM LInK IP，力积电(6770)则是提供客制化DRAM晶圆代工制造服务，并由台积电(2330)提供逻辑制程晶圆代工及3D堆叠制造服务。而此3D堆叠晶片客户为鲸链科技股份有限公司，是一家专注科技创新的无晶圆厂半导体及系统方案供应商。
半导体产业的封装技术已从传统的2D封装演进到2.5D，再到真正的3D封装技术。 2.5D封装是将多片晶片封装于同一块矽中介板上，而真正的3D封装技术则是以垂直的连接方式将多片晶片直接立体地互相堆叠。 2.5D封装时的记忆体频宽受限于矽中介板上可载的横向连接之数量；而3D封装因为采用垂直连接的方式，其连接数量几乎不会受限。得益于此，相较于2.5D封装，逻辑晶片与DRAM的3D整合将可在显著降低传输功耗的同时，大幅提升记忆体的频宽。
力积电指出，逻辑晶片与DRAM的3D整合是力积电在AI记忆体策略上的最新成果，这项3D技术将可为DRAM的频宽创造前所未见的可能性，对于AI、网通及图像处理等特别需要大量频宽的应用，将有极大的帮助。
爱普副总刘景宏副总表示，本次爱普与台积电及力积电等业界领导大厂，一同在逻辑晶片与DRAM的3D整合上密切合作，将帮助客户达到前所未有的产品效能。（贞光科技综合）
相关内容：贞光科技被业内称为车规及工业元器件金牌供应商，为客户提供车规电容、车规电阻、车规晶振、车规电感、车规连接器等车规级产品和行业解决方案，成立于1998年的贞光科技是三星、国巨、爱普生、AVX、奇力新、风华高科、京瓷、泰科等海内外三十多个原厂的授权代理。
免责声明：本文源自网络，文中观点不代表贞光科技立场，如有侵权请联系删除。
上一页
上一页
官方微信
官方公众号
电话：010-67882992 67892992 传真：010-67882992 邮箱：[email protected] QQ：55890894