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贞光科技消息，三星宣布3nm晶片成功下线，规模化量产时间临近
摘要：
贞光科技据外媒报导消息，三星宣布他们的3nm制程技术已经正式下线（Tape-out）。据介绍，三星的3nm制程采用的是GAA架构，性能优于台积电的3nm FinFET架构。
贞光科技据外媒报导消息，三星宣布他们的3nm制程技术已经正式下线（Tape-out）。据介绍，三星的3nm制程采用的是GAA架构，性能优于台积电的3nm FinFET架构。
三星在3nm制程的下线进度是与新思科技（Synopsys）合作完成的，目的在于加速为GAA架构的生产流程提供高度优化的参考方法。因为三星的3nm制程采用不同于台积电或英特尔采用的FinFET的架构，而是采用GAA的结构。因此，三星采用了新思科技的Fusion Design Platform。
在技术性能上，GAA架构的晶体管能够提供比FinFET更好的静电特性，可满足某些栅极宽度的需求。而这主要表现在同等尺寸结构下，GAA的沟道控制能力得以强化，借此给予尺寸进一步微缩提供了可能性。
三星代工设计技术团队副总裁Sangyun Kim 表示，三星电子最新且先进的3nm GAA 制程技术，受惠于与新思科技合作，Fusion Design Platform 加速准备，有效达成3nm制程技术承诺，证明关键联盟的重要性和优点。
此次下线是由Synopsys和三星代工厂合作完成的。先前，三星曾在2020年完成3nm的开发，但开发成功并不意味着产品最终进入量产的时间可以确定。伴随着此次成功下线，三星3nm晶片大规模量产的时间点已经正式临近。
先进制程一直是台积电、三星以及英特尔重要的角力战场。随着三星3nm采用GAA打算弯道超车，台积电则在3nm制程上仍持续采用FinFET架构， 在已知的技术基础上可以持续带给客户有成本竞争力、效能表现佳的产品 。贞光科技
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